Amplificadores de potencia de rf/microondas altamente eficientes: ejemplos de diseño

Restrepo Burgos, Norma, Pérez Mancera, Lady Fernanda, Andrade Mesa, Esther Vanessa, Ballesteros Tovar, Carlos Alberto, Angarita Malaver, Edison F. and Moreno Rubio, Jorge Julián ORCID: https://orcid.org/0000-0003-3376-4464 2016. Amplificadores de potencia de rf/microondas altamente eficientes: ejemplos de diseño. Revista Colombiana De Tecnologias De Avanzada (RCTA) 2 (28) , pp. 88-92. 10.24054/16927257.v28.n28.2016.2470

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Abstract

Este artículo muestra el diseño y la caracterización de dos amplificadores de potencia de alta eficiencia basados en tecnología GaN HEMT con una frecuencia de trabajo de 2.4 GHz. El primero es un amplificador de carga sintonizada con una eficiencia en saturación máxima de 52 % y ganancia a pequeña señal de 14.2 dB, el otro es un Clase F con un pico de eficiencia incrementado hasta el 60 % y ganancia a pequeña señal de 16.4 dB. Durante el proceso de diseño, se han tenido en cuenta las componentes parásitas debidas al empaquetado. Un dispositivo CGH40010 fabricado por Cree Inc. ha sido usado con un modelo no lineal válido hasta 6 GHz y una potencia de salida esperada de 10 W.

Item Type:	Article
Status:	Published
Schools:	Engineering
ISSN:	1692-7257
Date of Acceptance:	2 May 2016
Last Modified:	04 Nov 2022 12:14
URI:	https://orca.cardiff.ac.uk/id/eprint/122377

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